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参数目录44069
> FDB8880 MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
型号:
FDB8880
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
FDB8880 PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
1
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
54A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
11.6 毫欧 @ 40A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1240pF @ 15V
功率 - 最大
55W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263AB
包装
剪切带 (CT)
其它名称
FDB8880CT
查看FDB8880代理商
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